特許

J-GLOBAL ID：200903063869938677

レチクルパターンの欠陥検出方法

発明者： 青野 光弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168463
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019449
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レチクルの水しみや水あかなどの半透明のパターン欠陥を検出することを目的とする。【構成】 本発明では、ショット毎に露光エネルギ-を変化させ、ステップアンドリピート方式によって、レチクルのパターン像を順次感光性レジスト膜に投影露光して現像し、得られたこれらのパターンを相互に比較し、レチクルのパターン欠陥を検出するようにしている。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ表面に塗布された感光性レジスト膜表面にステップアンドリピート方式によって、レチクルのパターン像を投影露光するに際し、ショット毎に露光エネルギ-を変化させ、ステップアンドリピート方式によって、前記レチクルのパターン像を順次感光性レジスト膜に投影露光し現像してパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンを相互に比較し、前記レチクルのパターン欠陥を検出する検出工程とを含むことを特徴とするレチクルパターンの欠陥検出方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/30 301 V ,  H01L 21/30 311 L