特許
J-GLOBAL ID:200903063870165266

セラミックス成形用バインダー

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-167733
公開番号(公開出願番号):特開2000-355618
出願日: 1999年06月15日
公開日(公表日): 2000年12月26日
要約:
【要約】【解決手段】 水溶性ポリアルキレングリコール(化合物A)と新規な櫛形疎水性ジオール(化合物D)とポリイソシアナート(化合物B)からなるセラミックス成形用バインダー。【効果】 脱脂時の発熱が緩慢で発熱量も少なく、また残炭率も低い新しいセラミックス成形用バインダーが得られた。
請求項(抜粋):
化学式1(化1)【化1】で表される繰り返し単位(1)と、化学式2(化2)【化2】で表される繰り返し単位(2)からなり、繰り返し単位(1)のモル比率が0.5以上0.99以下であり、繰り返し単位(2)のモル比率が0.01以上0.5以下であり、GPCにより測定された重量平均分子量が10,000から1,000,000の範囲にある高分子からなる新規なセラミックス成形用バインダー。ただし、AはHO-A-OHが少なくとも両末端に水酸基を有しかつ数平均分子量が400〜100,000の水溶性ポリアルキレンポリオール(化合物A)である2価基であり、BはOCN-B-NCOが全炭素数が3〜18のポリイソシアナート類よりなる群から選ばれたポリイソシアナート化合物(化合物B)である2価基であり、DはHO-D-OHが化学式3(化3)【化3】(ただし、R1は炭素数が1〜20の炭化水素基である。またR2およびR3は炭素数が4〜21の炭化水素基である。また該炭化水素基R1、R2およびR3中の水素の一部ないし全部はフッ素、塩素、臭素ないし沃素で置換されていてもよく、R2とR3は同じでも異なっていてもよい。またYおよびY’は水素、メチル基ないしCH2Cl基であり、YとY’は同じでも異なっていてもよい。またZおよびZ’は酸素、硫黄ないしCH2基であり、ZとZ’は同じでも異なっていてもよい。またnはZが酸素の場合は0〜15の整数であり、Zが硫黄ないしCH2基の場合は0である。またn’はZ’が酸素の場合は0〜15の整数であり、Z’が硫黄ないしCH2基の場合は0であり、nとn’は同じでも異なっていてもよい)ないし化学式4(化4)【化4】(ただし、R4は炭素数が1〜20の炭化水素基である。またR5およびR6は炭素数が4〜21の炭化水素基である。また該炭化水素基R4、R5およびR6中の水素の一部ないし全部はフッ素、塩素、臭素ないし沃素で置換されていてもよく、R5とR6は同じでも異なっていてもよい。またY、Y’およびY”は水素、メチル基ないしCH2Cl基であり、YとY’は同じでも異なっていてもよい。またZおよびZ’は酸素、硫黄ないしCH2基であり、ZとZ’は同じでも異なっていてもよい。またR7は炭素数が2〜4のアルキレン基であり、kは0〜15の整数である。またnはZが酸素の場合は0〜15の整数であり、Zが硫黄ないしCH2基の場合は0である。またn’はZ’が酸素の場合は0〜15の整数であり、Z’が硫黄ないしCH2基の場合は0であり、nとn’は同じでも異なっていてもよい)ないし化学式5(化5)【化5】(ただし、R8およびR9はR8とR9の炭素数の合計が2〜20の炭化水素基である。またR10およびR11は炭素数が4〜21の炭化水素基である。また該炭化水素基R8、R9、R10およびR11の水素の一部ないし全部はフッ素、塩素、臭素ないし沃素で置換されていてもよい。R8とR9は同じでも異なっていてもよい。R10とR11は同じでも異なっていてもよい。またR12は炭素数が2〜7のアルキレン基である。またYおよびY’は水素、メチル基ないしCH2Cl基であり、YとY’は同じでも異なっていてもよい。またZおよびZ’は酸素、硫黄ないしCH2基であり、ZとZ’は同じでも異なっていてもよい。またnはZが酸素の場合は0〜15の整数であり、Zが硫黄ないしCH2基の場合は0である。またn’はZ’が酸素の場合は0〜15の整数であり、Z’が硫黄ないしCH2基の場合は0であり、nとn’は同じでも異なっていてもよい)で表わされる櫛形疎水性ジオール(化合物D)である2価基である。
IPC (2件):
C08G 18/50 ,  B28B 3/20
FI (2件):
C08G 18/50 A ,  B28B 3/20 K
Fターム (33件):
4G054AA05 ,  4G054BD00 ,  4J034BA07 ,  4J034BA08 ,  4J034CA04 ,  4J034CB03 ,  4J034CB07 ,  4J034CC05 ,  4J034CD01 ,  4J034CD04 ,  4J034DA01 ,  4J034DB04 ,  4J034DG02 ,  4J034DG03 ,  4J034DG04 ,  4J034DG05 ,  4J034DG09 ,  4J034HA01 ,  4J034HA07 ,  4J034HA11 ,  4J034HC03 ,  4J034HC17 ,  4J034HC22 ,  4J034HC23 ,  4J034HC46 ,  4J034HC52 ,  4J034HC53 ,  4J034HC54 ,  4J034HC61 ,  4J034HC64 ,  4J034HC71 ,  4J034HC73 ,  4J034KA01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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