表面状態測定方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278759
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102420
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】複数の半導体ウェーハの表面状態を短時間で且つ連続して測定しうる表面状態測定方法及び装置を提供する。【解決手段】複数の半導体ウェーハを保持するウェーハカセットと、半導体ウェーハの少なくとも1枚に赤外線を入射する入射光学系と、半導体ウェーハの内部を多重反射した後に出射される赤外線を検出する検出光学系と、検出光学系により検出された赤外線に基づき半導体ウェーハ表面の状態を測定する表面状態測定手段と、ウェーハカセットと入射光学系及び検出光学系との相対的な位置を移動する移動手段とを有する表面状態測定装置を構成し、移動手段によりウェーハカセットと入射光学系及び検出光学系との相対的な位置を移動しながら半導体ウェーハの表面状態を順次測定することにより、ウェーハカセットに保持された複数の半導体ウェーハの表面状態を連続して測定する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体ウェーハを保持するウェーハカセットと、前記半導体ウェーハの少なくとも1枚に赤外線を入射する入射光学系と、赤外線が入射される前記半導体ウェーハの内部を多重反射した後に出射される前記赤外線を検出する検出光学系と、前記検出光学系により検出された赤外線に基づき、前記半導体ウェーハ表面の状態を測定する表面状態測定手段と、前記ウェーハカセットと前記入射光学系及び前記検出光学系との相対的な位置を移動する移動手段と、を有し、前記移動手段により前記ウェーハカセットと前記入射光学系及び前記検出光学系との相対的な位置を移動しながら前記半導体ウェーハの表面状態を順次測定することにより、前記ウェーハカセットに保持された複数の前記半導体ウェーハの表面状態を連続して測定することを特徴とする表面状態測定装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956

FI (2件)：

H01L 21/66 L , G01N 21/956 A

Fターム (19件)：

2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB07 , 2G051BA20 , 2G051CA01 , 2G051CB02 , 2G051DA06 , 2G051EA14 , 2G051EB01 , 2G051EB02 , 4M106AA01 , 4M106BA08 , 4M106CA29 , 4M106CA70 , 4M106DH13 , 4M106DH31 , 4M106DH37 , 4M106DH38 , 4M106DH39

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