特許
J-GLOBAL ID：200903063874075148
コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213653
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInN系からなる層と電極との間の抵抗値を低減することにより、特性の向上した半導体装置、特に高輝度の青又は緑色の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を挿入したことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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