特許
J-GLOBAL ID:200903063874075148

コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-281958
公開番号(公開出願番号):特開平8-213653
出願日: 1995年10月30日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【課題】 AlGaInN系からなる層と電極との間の抵抗値を低減することにより、特性の向上した半導体装置、特に高輝度の青又は緑色の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を挿入したことを特徴とする半導体装置。
請求項(抜粋):
AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開平2-288371
  • 特開平4-236477
  • 特開平4-236478
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