特許
J-GLOBAL ID：200903063882116880
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130943
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 電極パッドとインナリード間の金属線を長くせず、かつ金属線相互間のショートを防止する。【構成】 外側インナリード5の先端は半導体素子8よりの距離を内側インナリード4より遠くなるように形成される。絶縁部材3は内側インナリード4に固定され、外側インナリード5の先端と離隔されている。半導体素子8上の外側電極パッド2は内側インナリード4との間を内ボンディングワイヤ7で接続され、内側電極パッド1は外側インナリード5との間を絶縁部材3を跨いで外ボンディングワイヤ6で接続され、絶縁部材3にマイグレーションを生じても、内ボンディングワイヤ7と外ボンディングワイヤ6の間にショートを生じない。
請求項（抜粋）：
半導体素子の複数の電極パッドと前記電極パッドに対応するインナリードとが金属線の両端をボンディングすることによって接続され、前記金属線のインナリード側のボンディング部は相隣るインナリードごとに前記半導体素子との距離が異なる千鳥状に配置され、前記半導体素子に比較的近い側のボンディング列と比較的遠い側のボンディング列との間に、相隣る前記金属線を離隔する帯状の絶縁部材が前記インナリードに固定されている半導体装置において、前記金属線が前記半導体素子に比較的遠い位置にボンディングされるインナリードの先端の位置は前記半導体素子から前記帯状絶縁部材よりも遠くなるように形成され、前記帯状絶縁部材は、前記金属線が前記半導体素子に比較的近い位置にボンディングされるインナリードのみに固定されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 21/60 301
