特許

J-GLOBAL ID：200903063884908377

スパッタリング装置

発明者： 山西 斉 ,  青倉 勇 ,  横山 政秀 ,  滝澤 貴博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167800
公開番号（公開出願番号）：特開平8-035064
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 複数の矩形ターゲットを有するスパッタリング電極で、大型基板に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一性を向上させ、さらにターゲットの高い利用効率を持ったスパッタリング装置を提供する。【構成】 矩形ターゲットを用いてスパッタリングを行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置において、ターゲット1の両側縁に沿うように、各側縁に複数個の磁石24を配置し、かつこれら磁石24の極性を相隣り合うものどうしが逆の関係になるように定めるとともに、ターゲット1を挟んで対向する磁石24間の極性を逆の関係になるように定め、少なくとも2以上のターゲット1をそのターゲット面と前記基板面とが30°以上60°以下の角度をなすように配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数の矩形ターゲットを用いてスパッタリングを行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置において、各ターゲットの両側縁に沿うように、各側縁に複数個の磁石を配置し、かつこれら磁石の極性を相隣り合うものどうしが逆の関係になるように定めるとともに、ターゲットを挟んで対向する磁石間の極性を逆の関係になるように定め、少なくとも2以上のターゲットをそのターゲット面と前記基板面とが30°以上60°以下の角度をなすように配置したことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スパッタリング電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-200763   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-224674
  
• 真空薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-132772   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-224674