磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、磁気メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-208231
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043993
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】高出力で高感度な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する【解決手段】磁気抵抗効果素子は、固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備え、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Co及び/又はFeを構成成分として含みMgをさらに含むCoFeMg合金膜で構成され、当該CoFeMg合金膜は、(CoxFe100-x)Mgy(ここで0≦x≦100,0<y<30at%)の組成範囲の組成を有する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備えたCPP型磁気抵抗効果素子であって、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Co及び/又はFeを構成成分として含みMgをさらに含むCoFeMg合金膜で構成され、当該CoFeMg合金膜は、(CoxFe100-x)Mgy(ここで0≦x≦100,0<y<30at%)の組成範囲の組成を有する磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 10/26

FI (7件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/26

Fターム (57件)：

4M119AA03 , 4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119EE29 , 4M119JJ09 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA25 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AA05 , 5F092AB03 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BC46 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092CA26

前のページに戻る