特許
J-GLOBAL ID:200903063890970599

高周波パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-036653
公開番号(公開出願番号):特開2000-236045
出願日: 1999年02月16日
公開日(公表日): 2000年08月29日
要約:
【要約】【課題】 占有面積の大きな半導体チップをパッケージ内部の空洞が共振を起こすことなく実装できる高周波パッケージを実現する。【解決手段】 1つ以上の高周波半導体チップが接地固定される地導体となる導体表面を有する基台と、上記高周波半導体チップ全体の周囲を囲むように設けられて上記基台の導体面に接続された導体を有する側壁と、上記高周波半導体チップ全体を覆うように上記高周波半導体チップに対向させて設けられ、上記側壁の導体に接続された導体を有するカバーとを備え、上記高周波半導体チップを高周波的にシールドする高周波パッケージであって、上記カバーに上記高周波パッケージの空洞の中央付近の上記基台からの高さを高くし、上記高周波パッケージの空洞内部に発生する導波管モードの電磁界分布を不連続にする凸部を設け、等価的に上記空洞の大きさを縮小して上記空洞における共振周波数を高めた。
請求項(抜粋):
高周波デバイスが形成された1つ以上の高周波半導体チップが接地固定される地導体となる導体表面を有する基台と、上記高周波半導体チップ全体の周囲を囲むように設けられて上記基台の導体面に接続された導体を有する側壁と、上記高周波半導体チップ全体を覆うように上記高周波半導体チップに対向させて設けられ、上記側壁の導体に接続された導体を有するカバーとを備え、上記高周波半導体チップを高周波的にシールドする高周波パッケージであって、上記カバーに上記高周波パッケージの空洞の中央付近の上記基台からの高さを高くし、上記高周波パッケージの空洞内部に発生する導波管モードの電磁界分布を不連続にする凸部を設け、等価的に上記空洞の大きさを縮小して上記空洞における共振周波数を高めたことを特徴とする高周波パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/02
FI (2件):
H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/02 F
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • マイクロ波回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-266598   出願人:富士通株式会社
  • 特開平4-294568

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