特許
J-GLOBAL ID：200903063892610697
半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299403
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121488
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップと配線基板との間隙に均一に樹脂封止体が短時間で形成されるフリップチップ型半導体装置の製造方法及びこのフリップチップ型半導体装置の樹脂封止体が容易に形成される樹脂封止装置を提供する。【解決手段】 フリップチップ型半導体装置は半導体チップ2と配線基板1との隙間及びその外周に樹脂封止体が形成される。トランスファ方式によって半導体チップ2を収容する成形型30、32を用い、加熱、減圧状態にしたキャビテイ38に設けられたゲートからプランジャ40により液状樹脂39をキャビテイ内に圧入し充填する。半導体チップと配線基板との間隙に均一に樹脂封止体が短時間で形成される。また、本発明の樹脂封止装置は、複数のキャビテイが設けられている場合、成形型の外部に弾性体を設けることにより配線基板のばらつきを成形型で補正し、均一な型当たりを得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの半導体素子がそのバンプ電極を介して外部端子を有する配線基板に電気的に接続されたフリップチップ型半導体装置を樹脂封止用成形型に搭載する工程と、前記半導体装置が搭載された樹脂封止用成形型に樹脂をトランスファ成形により加圧注入して前記半導体素子及び配線基板を樹脂封止する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/32
, B29C 45/34
, B29C 45/73
, H01L 21/60 311
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/32
, B29C 45/34
, B29C 45/73
, H01L 21/60 311 R
