特許
J-GLOBAL ID：200903063895584034
SOI電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014013
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067787
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 ボディコンタクトとボディの離れた領域との間の抵抗を減じたSOIMOSトランジスタを得る。【構成】 絶縁体上のシリコン(SOI)のMOSトランジスタ(200)が開示されており、それはドレイン(24)およびソース(23)の延長されたドレインおよびソース部分(26)の一方または両方の下側にボディと同じ伝導形の打ち込み領域(32)を含んでおり、BTSコンタクトまたは一般的なボディコンタクトを備えるか、または備えていない。ポケット打ち込み領域のみを備えることで、バックゲートしきい値電圧が増大してバックゲート電流の流れる可能性を減じている。ポケット打ち込み領域とボディコンタクトとを備えることで、浮遊ボディ効果が最小化されている。BTSコンタクトがソース中にポケット打ち込みの広がりと同程度に広がって位置していることのためにデバイスのチャネルに対する影響は無視できる。例えば、シリサイド化によってソースとボディとの間にオーミックな接続が実現される。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上を覆う半導体層中に作製された電界効果トランジスタであって、第1の伝導形で第1と第2の側面を有するボディノード部分、前記半導体層中に形成されたドレイン領域とソース領域であって、前記ドレインおよびソース領域が第2の伝導形であり、前記ドレインおよびソース領域が前記ボディノード部分に隣接して形成されており、また前記ソースおよびドレインのうちの少なくとも一方が前記ボディノード部分へ向かって延びる部分を含んでいるようなソース領域とドレイン領域、前記ボディノード部分から延びて前記ドレインとソースの少なくとも一方の延長部の下側に位置する前記第1の伝導形のポケット打ち込み領域であって、前記ボディノード部分よりも高濃度にドープされたポケット打ち込み領域、前記ボディノード部分を覆うゲート電極、を含むトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/22
, H01L 27/12
