特許

J-GLOBAL ID：200903063902684066

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： ゾン・ソク・グ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202038
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 高集積化が可能であり、かつプログラムおよび消去動作の特性を向上させることができる不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【構成】 第1導電型の半導体基板(10)の所定領域に形成された第2導電型の低濃度第1活性領域(13)を形成し、前記第1活性領域(13)の両側に第2導電型の高濃度の第2活性領域(18a)と第3活性領域(18b)とを形成し、その前記第3活性領域18bを覆う第1導電型の高濃度の第4活性領域(19で覆ったことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板(10)の所定領域に形成された第2導電型の低濃度第1活性領域(13)と、前記第1活性領域(13)の一側に形成された第2導電型の高濃度の第2活性領域(18a)と、前記第1活性領域(13)の他側に形成された第2導電型の高濃度の第3活性領域(18b)と、前記第3活性領域(18b)を覆う第1導電型の高濃度の第4活性領域(19)と、前記第1活性領域(13)上に第1絶縁層(14)を介在して形成されたフローティングゲート(15)、および前記フローティングゲート(15)上に第2絶縁層(16)を介在して形成されたコントロルゲート(17)と、を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-003273
  
• 特開昭64-081272