特許

J-GLOBAL ID：200903063908540031

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松浦 克好 ,  堀井 義正
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358537
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193280
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】微細なFRAMにおいても、強誘電体膜の劣化及びキャパシタ保護膜の剥がれを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体キャパシタを形成した後、これを覆うアルミナ保護膜を形成する。アルミナ保護膜は、CVD法で、かつ、原子層堆積法により形成し、その厚さは10nmとする。このとき、Al原料としてTMAを用い、Al原料の酸化剤として水素元素を含有しない酸化剤(O3)を用いる。このようなアルミナ保護膜の形成方法によれば、アルミナ保護膜の成膜時に強誘電体膜への水素の吸着が生じることはなく、また、アルミナ保護膜中に水素が残留することもない。従って、その後に回復アニールが施されても、強誘電体膜が還元されることはない。また、上部電極としてIrO2膜を用いても、これが還元されることもないため、アルミナ保護膜の剥がれも生じにくい。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上方に形成されたキャパシタと、 前記キャパシタを直接覆い、その膜厚が5nm乃至20nmであるアルミナ保護膜と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L27/105 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (5件)：

H01L27/10 444B ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 X ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621Z

Fターム (34件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA19 ,  5F058BA04 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ03 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を具備した集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055558   出願人：三星電子株式会社
• 絶縁膜を含む集積回路素子の製造方法及びこれによる集積回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-191316   出願人：三星電子株式会社
• キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-270446   出願人：三星電子株式会社