特許

J-GLOBAL ID：200903063912879302

ポリチオフェン化合物およびその製造方法

発明者： 木全 良典 ,  栗山 晃
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-151241
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 発光材料および半導体材料などに有用なシリル置換基を有するポリチオフェン化合物およびその製造方法を提供する。【解決手段】 式〔1〕、式〔2〕および式〔3〕で表されるポリチオフェン化合物。【化1】(R1 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R2 はメチル基または水素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)【化2】(R3 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R4 メチル基または塩素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)【化3】(R5 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R6 は炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは5〜100の正数を示す)

請求項（抜粋）：

末端にヒドロシリル基を有する、式〔1〕で表されるポリチオフェン化合物。【化1】(R1 は炭素数4〜8の直鎖アルキル基、R2 はメチル基または水素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)

IPC (2件)：

C08G 61/12 NLJ ,  H05B 33/14

FI (2件)：

C08G 61/12 NLJ ,  H05B 33/14