特許
J-GLOBAL ID：200903063914042337
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072679
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274409
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】II-VI族化合物半導体からなる半導体装置において、素子温度の上昇に起因する素子特性の劣化を防止できる。【構成】III-V族化合物半導体基板上にII-VI族化合物半導体の発光層を有する半導体発光装置において、基板と発光層間に多重超格子構造をゆうする欠陥緩和層を形成するが、この多重超格子構造を形成する各層の歪量εi(%)と膜厚di(nm)の積の総和f(%・nm)の絶対値が25以下であることを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基板上と、このIII-V族化合物半導体基板上に形成される多重構造の欠陥緩和層と、この欠陥緩和層上に形成され前記III-V族化合物半導体基板に格子整合するII-VI族化合物半導体と、このII-VI族化合物半導体上に形成されたII-VI族化合物半導体の発光層とを少なくとも有する半導体発光装置において、前記欠陥緩和層の多重構造を形成する各層の歪量εi(%)と膜厚di(nm)の積の総和f(%・nm)の絶対値が25以下であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/363
, H01L 27/12
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/203 M
, H01L 21/363
, H01L 27/12 G
, H01L 33/00 D
