特許

J-GLOBAL ID：200903063917075880

超伝導酸化物薄膜を用いた電子デバイス

発明者： 佐藤 寿志 ,  内藤 方夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272121
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117022
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】表面保護層や基板との界面にバッファ層が存在しない高温酸化物超伝導体薄膜を用いた電界効果型の電子デバイスを提供する。【解決手段】高温酸化物超伝導体薄膜と導電性薄膜とが誘電体を挾んでコンデンサ構造を形成し、超伝導酸化物薄膜と導電性薄膜との間に電圧を印加して、超伝導酸化物薄膜中のキャリア濃度を変化させることにより、超伝導酸化物薄膜の電気的特性を有効に変調させる構造の電界効果型の電子デバイスであって、超伝導酸化物薄膜は、LaSrAlO4よりなる基板上に形成したLa2-xSrxCuO4+d組成の極薄い薄膜となし、かつ膜厚を、0.66nm以上、5.3nm以下に設定した超伝導酸化物薄膜を用いた電界効果型の電子デバイスとする。

請求項（抜粋）：

高温酸化物超伝導体薄膜と導電性薄膜とが誘電体層を挾んでコンデンサ構造を形成し、上記超伝導酸化物薄膜と導電性薄膜との間に電圧を印加して、上記超伝導酸化物薄膜中のキャリア濃度を変化させることにより、上記超伝導酸化物薄膜の電気的特性を有効に変調させる電界効果型の電子デバイスであって、上記超伝導酸化物薄膜は、LaSrAlO4基板上に形成されたLa2-xSrxCuO4+d(式中、xは0〜2以下、dは-1〜+1の範囲を表わす。)よりなる組成の極薄い薄膜からなり、かつ、該薄膜の界面にバッファ層が存在しない高温酸化物超伝導体薄膜であることを特徴とする超伝導酸化物薄膜を用いた電子デバイス。