特許
J-GLOBAL ID：200903063922848596
軟磁性膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉橋 暎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200366
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035935
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 高い飽和磁束密度を持ち、しかも透磁率が高いFe-Si-Al合金の軟磁性膜を得ることができる製造方法を提供することである。【構成】 非磁性酸化物基板上にFe、Si、Alおよびその他の微量元素からなる合金磁性体の軟磁性膜をスパッタにより形成するに際し、基板に酸素ガスを周期的に供給しながらdcスパッタを行ない、酸素ガスの非供給下に成膜した磁性膜のA層と、酸素ガス供給下に成膜した磁性膜のB層とを、それぞれ50nm、3nmの厚さに形成する過程を繰り返し、A層とB層とが交互に重なった厚さ3μmの軟磁性膜を得た。この軟磁性膜のB層の酸素含有量は5〜20原子%、好ましくは11〜17原子%とする。
請求項（抜粋）：
非磁性酸化物基板上にFe、Si、Alおよびその他の微量元素からなる合金磁性体の軟磁性膜をdcスパッタにより形成する軟磁性膜の製造方法において、非磁性酸化物基板に酸素ガスを周期的に供給しながら、dcスパッタを行なうことを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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