特許
J-GLOBAL ID：200903063927857119
半導体装置の素子分離構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063074
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 微細でかつ平坦な素子間分離を実現しうる素子分離構造およびその製造方法を提供する。【構成】 素子分離構造における半導体基板の素子分離領域には、半導体基板の深さ方向に素子分離酸化膜15が形成され、その上面は半導体基板の主表面とほぼ同一高さである。素子分離領域と素子形成領域との界面には、半導体基板の深さ方向に窒化膜が形成され、その上面は半導体基板の主表面とほぼ同一高さである。製造方法としては、まず半導体基板上の素子形成領域を覆い素子分離領域を露出させるように第1の窒化膜を形成する。この第1の窒化膜をマスクとして素子分離領域に異方性エッチングによって溝を形成し、この溝の表面上および第1の窒化膜上に第2の窒化膜を形成する。その後、第2の窒化膜を異方性エッチングすることによって第1の窒化膜と側壁窒化膜18bとを残余させ、これらをマスクとして熱酸化処理によって溝部に素子分離酸化膜を形成し、第1の窒化膜をエッチング除去する。
請求項（抜粋）：
素子分離領域および素子形成領域が形成される主表面を有する半導体基板と、前記素子分離領域に前記半導体基板の深さ方向に広がるように形成され、その上面が前記半導体基板の主表面とほぼ同一高さである素子分離酸化膜と、前記素子分離領域と前記素子形成領域との界面に前記半導体基板の深さ方向に延びるように形成され、その上面の高さが前記半導体基板の主表面とほぼ同一高さである窒化膜と、を備えた半導体装置の素子分離構造。
IPC (2件)：
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