特許

J-GLOBAL ID：200903063928576601

半導体レーザ装置

発明者： 近藤 正彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204605
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5)をクラッド層とし、電流注入により室温で発振する半導体レーザ装置を提供すること。【構成】基板1上に、歪超格子活性層5と、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5の範囲である)からなるクラッド層3、7とを有し、この歪超格子活性層5に隣接して、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1、0≦z≦1の範囲である)からなるガイド層4、6を配置した半導体レーザ装置。

請求項（抜粋）：

基板上に、歪活性層と、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5の範囲である)からなるクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、上記歪活性層に隣接して、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1、0≦z≦1の範囲である)からなるガイド層を配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-003821