レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037705
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213341
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結晶化技術において、結晶化の向上と作業効率の向上を計る。【構成】正規分布またはそれに準ずるビームプロファイルを有する線状のパルスレーザービームを照射して非晶質珪素膜を結晶化する際に、線状のレーザービームが一部重なるようにして照射を行うことで、段階的にレーザー照射パワーを増加させていき、さらに徐々にレーザー照射パワーを下げていった場合と同様の効果を得るこができる。

請求項（抜粋）：

線状に加工されたパルスで、パルスレーザーを1方向にずらしながら照射する工程で、被照射物のある一点に着目したとき、該パルスレーザーがその一点に複数回照射されるようレーザービームを一部重ねて打つことを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-076715
特開平2-224346
半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067982 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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