特許

J-GLOBAL ID：200903063932362438

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 佐藤 健一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106810
公開番号（公開出願番号）：特開2001-290273
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にPED安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 特定のシリコン含有繰り返し単位と、特定の酸分解性基を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、下記一般式(II)で表される基を有する繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(II)【化2】式(II)中、R11は、水素原子又はアルキル基、R12は、炭化水素基を表す。

IPC (11件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/26 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  C08L101/06 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (11件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/26 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  C08L101/06 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (65件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF05 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB34 ,  2H025CB43 ,  2H025FA17 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002BQ001 ,  4J002EB116 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV176 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002FD200 ,  4J002GP03 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08Q ,  4J100AM43R ,  4J100AM45R ,  4J100AM47R ,  4J100AP16P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR31Q ,  4J100AR32Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA10Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA55R ,  4J100BA71P ,  4J100BA72P ,  4J100BA77P ,  4J100BA80P ,  4J100BB01P ,  4J100BB18R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38