不揮発性メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261392
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106794
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】書き込み/消去にかかる時間を短縮し、テスト時間を短縮できる不揮発性メモリ装置を提供する。【構成】マトリクス状に配列された複数のセルを有するメモリセルアレイと、通常書き込みモード時に内部で通常書き込み電圧を発生し前記複数のセルに供給する第1の供給手段と、テスト書き込みモード時に外部から可変の所定大きさのテスト書き込み電圧を入力し前記複数のセルに供給する第2の供給手段と、前記通常書き込みモードと前記テスト書き込みモードとを判別する手段と、前記判別手段に応答して、前記通常書き込みモード時には前記第1の供給手段を選択し前記第2の供給手段を非選択とし、前記テスト書き込みモード時には前記第1の供給手段を非選択とし前記第2の供給手段を選択とする手段とを具備している。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配列された複数のセルを有するメモリセルアレイと、通常書き込みモード時に、内部で通常書き込み電圧を発生し前記複数のセルに供給する第1の供給手段と、テスト書き込みモード時に、外部から可変の所定大きさのテスト書き込み電圧を入力し、前記複数のセルに供給する第2の供給手段と、前記通常書き込みモードと前記テスト書き込みモードとを判別する手段と、前記判別手段に応答して、前記通常書き込みモード時には前記第1の供給手段を選択し前記第2の供給手段を非選択とし、前記テスト書き込みモード時には前記第1の供給手段を非選択とし前記第2の供給手段を選択とする手段と、を具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G11C 29/00 303 , H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 17/00 309 E , G11C 17/00 510 Z , H01L 27/10 434

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