薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354712
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186558
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】液晶表示装置の画素を制御するためのスイッチング素子として用いた薄膜トランジスタにおいて、画素として高い反射率を有する反射電極を形成することにより、光の利用効率を向上させた反射型液晶表示装置を得る。【解決手段】画素を制御するためのスイッチング素子としての薄膜トランジスタをボトムゲート型とし、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上にソース電極を順次形成し、次いで層間絶縁膜を形成した後に層間絶縁膜のゲート電極部分およびソース電極部分に開口部を設け、半導体薄膜を堆積してソース電極に接続すると共にゲート電極上でチャネル部を形成し、TFTを完成させる。この際、画素も半導体薄膜で同時に形成し、これにメッキ法によってAgを析出させることにより反射電極を形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極が半導体薄膜の下側に配置されるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、前記半導体薄膜は、前記ゲート電極上を含む領域に形成されているとともに、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とを構成してなり、前記ソース領域は、ソース電極に接続されており、前記ドレイン領域は、延伸されて表示画素電極の形状に形成されているとともに、少なくとも前記表示画素電極の形状に形成されたドレイン領域上には、銀あるいは銀合金が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 616 V , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 618 C

前のページに戻る