特許

J-GLOBAL ID：200903063958249931

Siウェハへのレーザマーキング方法

発明者： 高橋 史丈
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-343253
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 ドット径やマーキング深さを任意の値にコントロールしながら精度良く行う。【解決手段】 あらかじめ作成したマーキングの特性表を元に、レーザ発振器,レーザアッテネータ,ビームエキスパンダなどを調整しながらマーキングを行う。レーザ発振器におけるレーザのショット数を、マーキング深さとショット数との関係を示す特性表を参照して(ステップ2-2)、レーザ発振器の発振周波数を、ドット径およびマーキング深さと発振周波数との関係を示す特性表を参照して(ステップ2-3)、レーザアッテネータにおけるレーザパワーを、ドット径とレーザパワーとの関係を示す特性表を参照して(ステップ2-4)、ビームエキスパンダにおける倍率を、ドット径およびマーキング深さとビーム径との関係を示す特性表を参照して(ステップ2-5)、それぞれ調整する。

請求項（抜粋）：

レーザ光を発振するレーザ発振器と、前記レーザ光のレーザパワーを調整するレーザアッテネータと、前記レーザ光のビーム径を変更するビームエキスパンダとを用いて、Siウエハに対してマーキングを行うレーザマーキング方法において、あらかじめ作成したマーキングの特性表を元に、前記レーザ発振器,前記レーザアッテネータ,前記ビームエキスパンダを調整して、目的とするドット径およびマーキング深さの値にコントロールしながら精度良くマーキングを行うことを特徴とするレーザマーキング方法。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  H01L 21/02 ,  B23K101:40

FI (2件)：

B23K 26/00 B ,  H01L 21/02 A

Fターム (5件)：

4E068AB01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA04 ,  4E068CD08 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-205281
  
• レーザマーキング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-283322   出願人：ミヤチテクノス株式会社