特許
J-GLOBAL ID：200903063961357010
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291064
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】プラズマ処理装置に於いて、被処理基板の金属汚染の防止、プラズマ密度の均一、付着生成物の除去の為のダウンタイムの短縮を図る。【構成】反応ガスを流通させ、相対向する電極3,4に高周波電力7を印加してプラズマを発生させ、被処理基板2を処理するプラズマ処理装置に於いて、相対向する電極の内カソード4に対峙させて絶縁材のシャワー電極板9を設け、該シャワー電極板を介して反応ガスを導入する様にし、該シャワー電極板の一面に金属膜11を被着し、或は該金属膜に負の電位13を印加し、前記シャワー電極板全面で同電位とし、プラズマ密度の均一化を図り、或は金属膜に負の電位を印加してホローカソード効果を抑制する。
請求項（抜粋）：
反応ガスを流通させ、相対向する電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、被処理基板を処理するプラズマ処理装置に於いて、相対向する電極の内カソードに対峙させて絶縁材のシャワー電極板を設け、該シャワー電極板を介して反応ガスを導入する様にし、該シャワー電極板の一面に金属膜を被着したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
