特許
J-GLOBAL ID：200903063962843031
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182653
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029197
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【構成】 半導体装置製造工程のフォトリソグラフティにおいて、レジストコート後、表面に段差をつけ、その後レジストを単波長平行光線により、全面露光すると、段差部において光の干渉により光が注入されないことにより、現像後、微細なレジストパターンが形成できる。【効果】 全面露光時の波長、すなわち作成可能な単波長平行光線の波長よりも細い線幅またはスペースのパターニングが可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ポジ形又はネジ形のフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストを露光現像し、フォトレジスト表面に所望の段差を形成する工程と、全面を単波長の平行光線で露光し、現像する工程とからなり、前記段差部の上部と下部との膜厚差は、前記単波長の平行光線での露光時、前記フォトレジストのある部分とない部分とで、前記段差部下部面に入射時の前記平行光線の位相が半波長の奇数倍ずれるような厚みであることを特徴とするフォトリソグラフィを用いたレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 301 Z
