特許
J-GLOBAL ID：200903063965973670
高周波切り替えスイッチ回路及び高周波切り替えスイッチ回路IC
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261302
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【目的】 単一電源動作可能であり、しかも高周波入力端子と高周波出力端子を結ぶMESFETは低抵抗にONして、高周波ロスの少ない高周波切り替えスイッチ回路を提供する。【構成】 出力端子OUT1,OUT2にそれぞれ容量素子C3,C4を介してドレインが接続しソースが共に容量素子C2を介してにグランドに接続するMESFETQ1,Q2と、MESFETQ1,Q2のドレインにそれぞれドレインが接続したMESFETQ3,Q4とを備え、MESFETQ3,Q4とのソースが共通接続されて容量素子C1を介して高周波入力端子RFINに接続し、MESFETQ1,Q2のソースは直流的に外部電圧印加端子VDに接続し、外部電圧印加端子VDへ印加する電圧と、制御信号とを単一の電源に基づく略等しい電圧とする。
請求項（抜粋）：
高周波入力(又は出力)端子と、第1の出力(又は入力)端子と、第2の出力(又は入力)端子と、第1の制御端子と、第2の制御端子と、外部電圧印加端子と、前記高周波入力(又は出力)端子,第1の出力(又は入力)端子,及び第2の出力(又は入力)端子に対して、それぞれ一端が接続して設けられた第1,第3,及び第4の直流カット容量素子と、前記第3の直流カット容量素子の他端にドレインが接続しソースが第2の直流カット容量素子(C2又は21)を介して高周波的にグランドに接続する第1の接合ゲート型FETと、前記第4の直流カット容量素子の他端にドレインが接続しソースが前記第2の若しくは別の直流カット容量素子(C2又は22)を介して高周波的にグランドに接続する第2の接合ゲート型FETと、前記第3の直流カット容量素子の他端にドレインが接続しソースが第1の直流カット容量素子の他端に接続する第3の接合ゲート型FETと、前記第4の直流カット容量素子の他端にドレインが接続しソースが第1の直流カット容量素子の他端に接続する第4の接合ゲート型FETとを備え、前記第1及び第2の接合ゲート型FETのソースは直流的に前記外部電圧印加端子に接続し、前記第1および第4の接合ゲート型FETのゲートが共に前記第1の制御端子に接続し、前記第2および第3の接合ゲート型FETのゲートが共に前記第2の制御端子に接続していることを特徴とする高周波切り替えスイッチ回路。
Fターム (14件)：
5J055AX05
, 5J055AX12
, 5J055AX44
, 5J055BX04
, 5J055BX11
, 5J055CX03
, 5J055DX23
, 5J055DX44
, 5J055DX63
, 5J055DX83
, 5J055EY01
, 5J055EY10
, 5J055FX18
, 5J055GX01
