特許
J-GLOBAL ID：200903063966678086
電子素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173181
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力で、高速で書き込みおよび読み出しを行うことができ、複数ビットまたは多値情報の記憶が可能で、しかも高集積化が可能なメモリ素子を実現することができる電子素子を提供する。【解決手段】 GaAs層2上にAlGaAs層3を設け、その中に例えば三段の二次元量子ドットアレイからなる三次元量子ドットアレイを埋め込む。この三次元量子ドットアレイの上方にゲート電極6を設け、その両側にソース電極7およびドレイン電極8を設ける。これらのソース電極7およびドレイン電極8は合金層9を介してGaAs層2と接続する。ゲート電極6に、ソース電極7に対して正または負の電圧を印加することにより、三次元量子ドットアレイ中の電子を、ゲート電極6側の第3段目の二次元量子ドットアレイの量子ドットQD3またはGaAs層2側の第1段目の二次元量子ドットアレイの量子ドットQD1中に移動させる。これらの二つの状態をビットの“1”および“0”に対応させ、1ビットの情報を記憶する。
請求項（抜粋）：
伝導領域と、上記伝導領域に近接して設けられた微粒子の三次元的集合体とを有し、上記微粒子の三次元的集合体における電子分布を制御することにより上記伝導領域の電気伝導度を制御するようにしたことを特徴とする電子素子。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 27/10 451
, H01L 29/66
, H01L 49/02
H01L 29/78 301 J
, H01L 27/10 451
, H01L 29/66
, H01L 49/02
