特許
J-GLOBAL ID：200903063967492520
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120479
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】配線構造にTi、TiNバリアメタルを有する半導体素子において、優れた耐熱性、電気特性を有する半導体素子を簡便なプロセスで実現する【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくとも不純物をドープしたバリア層を有する。【効果】バリアメタルのバリア性が向上し、高アスペクト比でのボトムカバレージ悪化にに際しても、耐熱性が確保される。バリアメタルによる不純物拡散層中の不純物の吸収を抑え、良好な電気特性を得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくともチタンと窒素を主たる構成元素とするバリア層を有し、該バリア層がBNまたはAlNを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/46
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
