特許
J-GLOBAL ID：200903063974360095
半導体基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011213
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203823
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 Si基板上に結晶性及び表面平坦性に優れたSiC膜が形成された半導体基板を得る。【構成】 Si基板11上にSiC単結晶をヘテロエピタキシャル成長させることによりSiC膜12が形成された半導体基板10に関し、SiC単結晶の初期成長時に分子線成膜装置20を用いてSi基板11を500°C以上850°C以下に加熱しながらCを含有する分子線を照射してSi基板上にCとSiとを含むアモルファス層12aを形成した後、このSi基板を850°C以上1000°C以下に加熱してアモルファス層を結晶化させてSiC薄膜12bを形成する。更にこのSiC薄膜12b上にSi基板を850°C以上1000°C以下に加熱しながらC及びSiの分子線を同時に又は交互に照射してSiC単結晶をヘテロキャピタキシャル成長させることによりSiC膜12を形成する。
請求項（抜粋）：
Si基板(11)上にSiC単結晶をヘテロエピタキシャル成長させることによりSiC膜(12)が形成された半導体基板において、前記SiC膜(12)の表面のマイクロラフネスRmaxが0.1nm〜100nmであることを特徴とする半導体基板。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C01B 31/36
, C30B 23/08
, H01L 21/338
, H01L 29/812
