特許
J-GLOBAL ID：200903063979628630
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338683
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 樹脂層の表面に形成した導体パターンの形成精度向上を図りつつ、導体パターンの樹脂層表面からの剥離防止を図ることのできる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 SiO2粒子16等の粒子状配合物が配合された電気絶縁性樹脂から成る樹脂層12の表面に、無電解めっき及び電解めっきの順序で形成した所定厚さの金属層にパターニングを施し導体パターン14を形成して配線基板を製造する際に、該無電解めっきの前処理として、前記樹脂層の導体パターン形成面にプラズマ処理を施した後、前記樹脂層の導体パターン形成面をフッ酸化合物溶液に接触せしめ、前記導体パターン形成面近傍に存在する粒子状配合物を除去するガラスエッチング処理を施し、次いで、前記前処理を施した表面粗度Rmaxが0.2μm以下の樹脂層の導体パターン形成面に、無電解めっき及び電解めっきを施して所定厚さの金属層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
SiO2粒子等の粒子状配合物が配合された電気絶縁性樹脂から成る樹脂層の表面に、無電解めっき及び電解めっきの順序で形成した所定厚さの金属層にパターニングを施し導体パターンを形成して配線基板を製造する際に、該無電解めっきの前処理として、前記樹脂層の導体パターン形成面に親水化処理を施した後、前記樹脂層の導体パターン形成面をフッ酸化合物溶液に接触せしめ、前記導体パターン形成面近傍に存在する粒子状配合物を除去するガラスエッチング処理を施し、次いで、前記前処理を施した表面粗度Rmaxが0.2μm以下の樹脂層の導体パターン形成面に、無電解めっき及び電解めっきを施して所定厚さの金属層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/38
, C23C 18/16
, C23C 18/20
, C23C 18/24
, H05K 3/18
H05K 3/38 A
, C23C 18/16 A
, C23C 18/20 A
, C23C 18/24
, H05K 3/18 B
, H05K 3/18 H
4K022AA13
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022CA04
, 4K022CA12
, 4K022CA15
, 4K022DA03
, 5E343AA12
, 5E343AA16
, 5E343AA17
, 5E343BB24
, 5E343CC37
, 5E343DD33
, 5E343DD43
, 5E343DD63
, 5E343EE34
, 5E343EE35
, 5E343EE36
, 5E343GG04
, 5E343GG08
