特許

J-GLOBAL ID：200903063983422338

レーザーによるシリコン同位体の高効率分離・濃縮法

発明者： 横山 淳 ,  大場 弘則 ,  橋本 雅史 ,  柴田 猛順 ,  荒井 重義 ,  石井 武 ,  大家 暁雄
出願人/特許権者： 日本原子力研究所 ,  ヒル リサーチ有限会社 ,  ニユークリア・デベロップメント株式会社
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249048
公開番号（公開出願番号）：特開2003-053153
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：

【要約】【課題】 単色レーザー光によるシリコン同位体の分離・濃縮法には、950cm-1付近の波数のレーザー光の照射を必要とするが、950cm-1付近の1光子吸収はどの同位体分子に対しても非常に小さいので、分子が最初に光子を吸収する効率は極めて悪く、多光子吸収の効率も悪い。従って、本発明においてはシリコン同位体のレーザー分離・濃縮法の高効率化をその課題とする。【解決手段】 レーザーによるSi2F6で代表されるシリコンのハロゲン化物の赤外多光子分解に基づく、28Si、29Si、30Siなどのシリコン同位体の分離・濃縮において、ハロゲン化物に異なる波長の複数の赤外パルスレーザー光を同期させて照射することを特徴とする分離・濃縮の高効率化法を課題解決手段とする。

請求項（抜粋）：

レーザーによるSi2F6で代表されるシリコンのハロゲン化物の赤外多光子分解に基づく、28Si、29Si、30Siなどのシリコン同位体の分離・濃縮において、ハロゲン化物に異なる波長の複数の赤外パルスレーザー光を同期させて照射することを特徴とする分離・濃縮の高効率化法。