半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267439
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】絶縁分離構造を有する半導体複合基板を容易に製造する。【構成】第1の半導体基板1の一主面の所定部分に溝部3を形成しその底面に第1の絶縁膜5を形成する。この第1の半導体基板の一主面の他の部分を研磨してこれにより得られた鏡面研磨面12と第1の絶縁膜5の表面とを同一平坦面とし、ここに第2の半導体基板10の一主面13を圧着し、加熱処理をして半導体複合基板を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板の一主面の所定部分に溝部を形成する工程と、前記溝部の底面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の半導体基板の一主面の他の部分を研磨してこれにより得られた鏡面研磨面と前記第1の絶縁膜の表面とを同一平坦面とする工程と、第2の半導体基板の一主面を前記第1の半導体基板の鏡面研磨面および第1の絶縁膜の表面に圧着し、加熱処理をして半導体複合基板を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 27/06 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/06 102 D , H01L 29/78 321 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-029353
特開昭61-164238
特開昭62-024641

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