特許
J-GLOBAL ID：200903063999108455
GaN系半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179875
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023050
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】GaN単結晶基板上に形成され、かつ電流リークを小さくできる構成を備えたGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】本GaN系半導体レーザ素子50は、p側電極及びn側電極が積層構造側に設けられている半導体レーザ素子であって、サファイア基板に代えてGaN単結晶基板52を使い、かつGaN-ELO構造層を設けることなくGaN系化合物半導体層の積層構造を直接GaN単結晶基板52上に形成したことを除いて、サファイア基板上に形成した従来のGaN系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。GaN単結晶基板50は、幅10μmの連続帯状のコア部52aを有し、コア部52aとコア部52aとの間隔は400μm程度である。レーザストライプ30、p側電極36のパッドメタル37、及びn側電極38は、GaN単結晶基板50のコア部52a以外の領域上の積層構造に設けられ、パッドメタル37の側縁部とコア部52aの外周縁との間の水平距離Sp 及びn側電極38とコア部52aの外周縁との間の水平距離Sn は、双方とも、95μmである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
低密度欠陥領域、及び基板を貫通する高密度欠陥領域として周期的な基板面上配列で低密度欠陥領域に存在するコア部を有するGaN基板と、
GaN基板上に形成されたGaN系化合物半導体層の積層構造と、
積層構造上に設けられた一方の電極、及び一方の電極上に成膜された絶縁膜上に形成され、絶縁膜の開口を介して一方の電極と電気的に接続するパッドメタルを有する電極部と
を備え、電極部が、GaN基板のコア部以外の領域上の積層構造に設けられていることを特徴とするGaN系半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA91
, 5F041CB04
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA21
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA29
