特許
J-GLOBAL ID：200903064001011140
圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239702
公開番号（公開出願番号）：特開2003-050173
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 圧力センサとして安定な動作特性を保証できる期間の延長(長寿命化)を実現できる高感度、高耐圧のタッチモード式静電容量型圧力センサの開発が求められていた。【解決手段】 第二の電極17が形成してある基板16に該基板16を貫通するようにして前記第二の電極17と接続された貫通電極51が、前記第二の電極17から前記基板裏面16a側へ引き出される配線として形成されているため、前記基板16と、第一の電極であるダイアフラム19が形成されている基板との接合によって密閉性の高いキャビティー部20を形成できる圧力センサ50を提供する。
請求項（抜粋）：
第一の電極として導電性を有するダイアフラム(19)が形成されている基板(15)と、第二の電極として導電膜(17、30)が形成されている基板(16)とが、前記導電膜上に形成されている誘電体膜(18、31)及びキャビティー部(20)を介して前記ダイアフラムと前記導電膜とが互いに対向するように接合され、前記ダイアフラムと前記誘電体膜との接触面積の変化による両電極間の静電容量変化から圧力を測定する圧力センサにおいて、第二の電極が形成してある基板に該基板を貫通するようにして前記第二の電極と接続された貫通電極(51)が1以上形成され、この貫通電極によって前記第二の電極から前記基板裏面(16a)側へ引き出される配線が形成されていることを特徴とする圧力センサ(50、50a〜50c)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
2F055AA40
, 2F055BB01
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055DD07
, 2F055EE25
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 2F055GG11
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA11
, 4M112CA13
, 4M112DA09
, 4M112EA03
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA01
, 4M112FA07
, 4M112GA01
