特許
J-GLOBAL ID：200903064006199961
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103739
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283349
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板(ウェーハ)の裏面及び、基板表面のクリップマークのある周辺部等にメタル薄膜を堆積させず、また支持台(サセプター)に堆積する量を少なくして、パーティクル発生を抑制した成膜装置を提供すること。【構成】 半導体基板3を載置する支持台と、半導体基板を支持台を介して加熱するための加熱装置と、半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有し、支持台が、少なくとも半導体基板1と接触する部分である接触部2aと、半導体基板の外周部で該半導体基板と非接触の部分である外周部2bとに分割されていて、かつ、該接触部と外周部との間にガス導入路(パージガス導入路)10を設けた成膜装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する支持台と、前記半導体基板を前記支持台を介して加熱するための加熱装置と、前記半導体基板上に金属薄膜を成長させるための原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有する成膜装置において、前記支持台が、少なくとも半導体基板と接触する部分である接触部と、半導体基板の外周部で該半導体基板と非接触の部分である外周部とに分割されていて、かつ、該接触部と外周部との間にガス導入路を設けたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, H01L 21/26
