特許
J-GLOBAL ID：200903064009455128
素子およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209032
出願日： 1994年01月10日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 取扱が難し10μm以下のダイヤモンド薄膜を用いた素子の作製を容易にする。【構成】 シリコン基板102上に気相合成法によりダイヤモンド薄膜101を5μm程度の厚さに成膜する。そしてパラフィン104を塗布し、しかる後に基板102を弗酸等によって除去する。こうしてパラフィン104を基体としてダイヤモンド薄膜101が保持される。その後ダイヤモンド薄膜表面に必要とする回路を形成し、最後にパラフィン104を除去することにより、ダイヤモンド薄膜101を用いた素子が完成する。このような構成は、ダイヤモンド薄膜を用いて熱的な影響を計測する素子、例えば流量計測素子の作製に利用することができる。
請求項（抜粋）：
第1の基体上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に第2の基体を接着する工程と、前記第1の基体を除去する工程と、露呈した前記薄膜の表面に回路を形成する工程と、前記薄膜を所定の形状に切断する工程と、前記第2の基体を所定の形状に切断する工程と、前記第2の基体を除去する工程と、を有する素子作製方法。
IPC (3件)：
G01D 21/00
, G01F 1/00
, G01K 7/22
