特許
J-GLOBAL ID：200903064010254942
半導体集積装置の製造方法、および半導体集積装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076239
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270442
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】配線層を形成する半導体集積装置に関し、コンタクトホールもしくはビアホール内において金属配線材料が断線することなく、安定した導通を得られる半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積装置を提供すること。【解決手段】コンタクトホールもしくはビアホール3内に配線材料粉体を分散させた溶媒5を均一に塗布し、粉体を分散させた溶媒部分を蒸発させ、金属粉6をリフローさせることにより、コンタクトホールもしくはビアホール3の内部に付着して、配線材料粉体となる金属粉6が隙間なく埋め込まれる。【効果】コンタクトホールもしくはビアホール内で金属配線材料が断線することなく、安定した導通の配線層が得られる。
請求項（抜粋）：
不純物をドープしたシリコン基板上もしくは配線材料上の層間絶縁膜開口部に配線材料粉体を塗布し、粉体を分散させた溶媒部分を蒸発させ、金属粉をリフローさせ配線を形成する半導体集積装置の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
