特許
J-GLOBAL ID：200903064010303790

固体撮像装置

発明者：
渡辺 恭志

渡辺 恭志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193386
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039794
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】遮光画素による黒基準レベルの変動を防ぐ。【解決手段】遮光層16で覆われた遮光画素を構成するトランジスタのソースまたはドレイン14およびフォトダイオード13は、低濃度基板11に設けられた高濃度ウェル20の表面に形成されている。したがって、低濃度基板11から高濃度ウェル20に向かってポテンシャルバリアΔVが形成されており、受光画素の一部に強いスポット光が入射して光17の一部が低濃度基板11の中性領域まで到達しても、そこで光電変換された拡散電荷18の一部は、高濃度ウェル20へ侵入することはできない。したがって、上記遮光画素の出力信号レベルが変化することはなく、黒基準レベルを維持することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フォトダイオードとトランジスタとで成る画素が半導体基板の表面側に複数配列されると共に、上記各画素は上記フォトダイオードに光が入射される受光画素と上記フォトダイオードに光が入射されない遮光画素とで構成されており、上記遮光画素からの出力信号に基づいて黒基準レベルを得る固体撮像装置において、 上記遮光画素のフォトダイオードの上記半導体基板に面する下側を、上記半導体基板と同じ導電型であって上記半導体基板よりも高濃度である不純物層で覆う一方、上記受光画素のフォトダイオードの上記半導体基板に面する下側を、上記半導体基板に直接接触させていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (13件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA19 ,  4M118FA06 ,  4M118FA50 ,  5C024CX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ37 ,  5C024GZ38
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-243462
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367287   出願人：株式会社東芝
  • 特開平4-274366

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