特許
J-GLOBAL ID：200903064010865330
基板加熱装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217503
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064920
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 加熱処理時の基板の反りを抑えて平坦化可能で、実施も容易である。【解決手段】 プレート2の中央部分近傍に配設した複数のプロキシミティピン8の突出量を、その周辺部分に配設した複数のプロキシミティピン9の突出量よりも高くしたため、プロキシミティピン8,9上に載置された基板7の外周端縁部分は加熱当初より垂れ下がった状態となっていると共に、放熱の大きい基板7の外周縁部の方が中央部分よりもプレート2の上面との距離が近くなって基板7全面の温度分布の均一性がより向上している。このため、基板7への加熱に伴って、基板7の外周縁部が上方向に反ろうとする力を吸収しつつ上方向に徐々に反っていくことで、基板7はその外周縁部が上方向に反ろうとする力は基板の平坦化にエネルギーが消耗され、それ以上に基板7の外周縁部が上方向に反らないフラットな基板状態で基板加熱処理を終えることができる。
請求項（抜粋）：
基板を加熱処理する基板加熱装置において、上面を昇温可能な発熱プレートと、前記発熱プレート上に複数配設されて前記基板を支持する支持部材とを有し、前記支持部材上に載置された基板の周辺部下面と前記発熱プレートの上面との間隔が、前記基板の中央部下面と前記発熱プレートの上面との間隔よりも小さくなるように前記支持部材の支持高さを設定したことを特徴とする基板加熱装置。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, G03F 7/40
, H01L 21/68
, G02F 1/1333 500
H01L 21/324 H
, G03F 7/40
, H01L 21/68 N
, G02F 1/1333 500
