特許
J-GLOBAL ID：200903064011572395
電気光学装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155089
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173189
出願日： 1982年04月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 非線形素子の容量を小さくして、非線形素子を通して画素電極に印加される実効電圧を大きくなるようにし、コントラストの良好な電気光学装置の製造方法を提供する。【構成】 本発明の電気光学装置の製造方法は、第1金属層、絶縁層上の該第2金属層上のレジストの膜厚は薄く、該絶縁基板上の第2金属層上のレジストの膜厚は厚くなるように該絶縁基板上にレジスト形成する工程と、該絶縁基板上の第2金属層上のレジストは残し、該第1金属層、絶縁層上の該第2金属層上のレジストは除去する選択エッチング工程と、レジストが除去された該第1金属膜上面の該第2金属層を除去する工程とにより、該第1金属層-該絶縁層-該第1金属層の側面に形成された第2金属層構造により非線形素子を形成するものである。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に第1金属層を所望の形状に形成する工程、該第1金属層の表面を陽極酸化して絶縁層を形成する工程、該第1金属上の絶縁層をまたがるように該絶縁基板上に第2金属層を形成する工程、該第1金属層、絶縁層上の該第2金属層上のレジストの膜厚は薄く、該絶縁基板上の第2金属層上のレジストの膜厚は厚くなるように該絶縁基板上にレジスト形成する工程、該絶縁基板上の第2金属層上のレジストは残し、該第1金属層、絶縁層上の該第2金属層上のレジストは除去する選択エッチング工程、レジストが除去された該第1金属膜上面の該第2金属層を除去する工程からなり、該第1金属層-該絶縁層-該第1金属層の側面に形成された第2金属層構造により非線形素子を形成したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 510
, H01L 49/02
