特許
J-GLOBAL ID：200903064011604475
MOSトランジスタ及びMOSトランジスタの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204184
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極パターンの疎密によらずしきい電圧をウエハ面内で均一に保つことができるMOSトランジスタ及びその形成方法を提供する。【構成】 基板11上にゲート絶縁膜12を介して逆テーパ形状のゲート電極13を形成する。ゲート電極13をマスクにして基板11に低濃度拡散層14を形成するための不純物を導入する。ゲート電極13の側壁にサイドウォール15を形成する。ゲート電極13及びサイドウォール15をマスクにして基板11中に拡散層17を形成するための不純物を導入し、低濃度拡散層14と拡散層17とからなるソース18及びドレイン19を形成し、MOSトランジスタ1のゲート電極13を逆ゲーパ形状にする。これによって、底面におけるゲート長方向の幅が広いサイドウォール15を形成し、サイドウォール15の幅のばらつきに対するVthの変動を小さくする。
請求項（抜粋）：
基板上のゲート電極側壁に配置されるサイドウォールと、当該サイドウォール下方における前記基板の表面部分に配置されるソース及びドレインの低濃度拡散層と、前記ゲート電極を挟んで当該低濃度拡散層と隣接する前記基板の表面部分に配置されるソース及びドレインの拡散層とを有するMOSトランジスタにおいて、前記ゲート電極は、逆テーパ形状であることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
