特許

J-GLOBAL ID：200903064014086548

半導体装置の製造方法

発明者： 君塚 直彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146478
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335657
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、MOSFET等の半導体装置において、金属配線層下部にチタン膜、あるいは窒化チタン膜のような水素を吸収する物質が用いられ、絶縁膜の直上に大面積で存在する場合でも、十分にプラズマダメージを除去し、MOSFETの特性および信頼性を向上する半導体装置の製造方法を提供すること、および従来より低いアニール温度を用いても十分にプラズマダメージを除去しうる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 製造工程中に少なくとも1回のプラズマを用いる工程を有する製造工程により、ゲート絶縁膜30、電極14、15、16、金属配線31、32および層間絶縁膜3、13を形成した半導体基板1を、加圧水素雰囲気中で加熱することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

製造工程中に少なくとも1回のプラズマを用いる工程を有する製造工程により、ゲート絶縁膜、電極、金属配線および層間絶縁膜を形成した半導体基板を、加圧水素雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/324 Z