プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150485
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】プラズマ処理において、プラズマ生成条件である放電電力、原料ガスの圧力、流量、組成で、プラズマ内の活性種を制御するしかなく、高精度に処理性能を制御することおよび特性を長期間安定に維持することが困難であった。【解決手段】 300から500MHzの電磁波と磁場の相互作用でプラズマを形成し、電磁波導入用平面板に50kHzから30MHzの電磁波を該300から500MHzの電磁波に重畳させ、さらに平面板5と被加工試料6の間隔を被加工試料または平面板のいずれか小さい方の径の1/2以下とする構成とした。【効果】プラズマ内の活性種がプラズマ生成条件とは独立にかつ効果的に制御でき、さらに長期的な処理性能の安定化が可能となる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と原料ガス供給手段と被加工試料設置手段と被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で該原料ガスをプラズマ化し、該被加工試料の表面処理を行う表面処理装置において、該プラズマを形成する手段が電磁波供給手段と磁場発生手段からなり、該電磁波の該真空容器内への導入を該被加工試料に平行に配置された平面板から行い、該平面板と該被加工試料の間隔を30mmから該被加工試料または平面板のいずれか小さい方の径の2分の1とし、さらに該平面板表面とプラズマ中の活性種との反応量を制御する手段、被加工試料面内に入射する活性種の量と種類を均一化する手段、被加工試料に入射する活性種の時間的変動を低減する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , C23F 4/00 G , H05H 1/46 B

Fターム (52件)：

4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DB05 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE07 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DG14 , 4K057DG16 , 4K057DG20 , 4K057DM16 , 4K057DM17 , 4K057DM18 , 4K057DM21 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM28 , 4K057DM29 , 4K057DM31 , 4K057DM33 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA04 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB16

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