分布帰還型半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292852
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196799
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】共振器方向の電界強度分布を均一化し、同時に位相シフトを形成するのと等価な効果を得て、低歪アナログ光変調用の分布帰還半導体レーザを高歩留りで得る。【構成】分布帰還型半導体レーザにおいて光導波路19の幅を端面付近で広く、中央付近で狭くする。これにより共振器方向の電界強度分布は均一化され、電流-光出力特性の線形性が改善される。また光導波路の等価屈折率は共振器の中央付近で小さく端面付近で大きくなり、導波路中に位相シフトを設けた場合と等価な効果が得られるために安定な単一モード発振が可能となる。したがって低歪アナログ変調用の分布帰還型半導体レーザが高歩留りで得られる。

請求項（抜粋）：