特許
J-GLOBAL ID：200903064021883291
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314488
公開番号（公開出願番号）：特開平7-146307
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 温度特性の改善と歩留まり向上を図った半導体加速度センサを提供する。【構成】 半導体基板を加工して、周辺の固定部11と、中央の加速度により力を受ける作用部12と、これら固定部11と作用部12の間を連結する薄肉の可撓部13とを形成し、可撓部13表面に拡散抵抗を形成して加速度センサ基板1を得る。この加速度センサ基板1に対して、中央に貫通孔5を有する一体物からなる台座2を固定部11底面に接合し、これと前後して又は同時に、台座2とは別に用意された重錘体3を作用部12底面に接合する。
請求項（抜粋）：
半導体基板が周辺の固定部と、中央の加速度により力を受ける作用部と、これら固定部と作用部の間を連結する薄肉の可撓部とに加工され、前記可撓部の表面に拡散抵抗が形成された加速度センサ基板と、中央に貫通孔を有する一体物からなり、その貫通孔一端側が前記加速度センサ基板の固定部底面に接合された台座と、この台座の貫通孔にその内壁との間に微小ギャップを保って挿入された状態で前記加速度センサ基板の作用部底面に接合された重錘体と、を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/12
, G01P 21/00
, H01L 29/84
