特許

J-GLOBAL ID：200903064027736843

強誘電体薄膜の形成方法

発明者： 石原 数也 ,  大西 茂夫 ,  駒井 真也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251351
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 酸素空孔がなく、電界を印加してもリーク電流の発生がなく誘電率を高く維持しうる強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供する。【構成】 酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結晶欠陥を補償して結晶化させる。

請求項（抜粋）：

酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結晶欠陥を補償して結晶化させることを特徴とする強誘電性酸化膜の結晶化方法。