特許
J-GLOBAL ID：200903064028206465

プラズマ処理装置およびその方法

発明者：
輿水 地塩

輿水 地塩 について

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石原 博之

石原 博之 について

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樋口 公博

樋口 公博 について

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丸山 幸児

丸山 幸児 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン山梨株式会社

東京エレクトロン山梨株式会社 について

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科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219760
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036490
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 被処理体の全面に均一な処理を施すことが可能なプラズマ処理装置およびその方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に配置された下部電極106上には,静電チャック108が設けられ,チャック面上に載置されるウェハWの周囲を囲むように導電性の内側リング体112aと絶縁性の外側リング体112bが配置される。ウェハWと内側および外側リング体112a,112bの温度は,第1〜第3温度センサ142,144,146で検出される。制御器140は,該温度情報に基づいてウェハWと内側リング体112aの温度が略同一になるように,第1ガス吐出孔114からウェハWの中央部と静電チャック108との間および第2ガス吐出孔116からウェハWの外縁部と静電チャック108との間に供給するHeの圧力と,外側リング体112b内のヒータ148の発熱量を制御する。
請求項（抜粋）：
処理室内に配された電極上に載置される被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において:前記電極に設けられる温度調整手段と;少なくとも前記電極上に載置される前記被処理体の周囲を囲むように配置される導電性リング体と,前記導電性リング体の周囲を囲むように配置される絶縁性リング体とからなるリング体と;少なくとも前記導電性リング体と前記電極との間に伝熱ガスを供給する第1ガス供給経路と;前記伝熱ガスの供給圧力を調整する圧力調整手段と;前記圧力調整手段を制御する第1制御手段と;を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 A
Fターム (38件)：
4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DA19 ,  4K057DA20 ,  4K057DD02 ,  4K057DD08 ,  4K057DE06 ,  4K057DG14 ,  4K057DM03 ,  4K057DM08 ,  4K057DM35 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F004CB12 ,  5F031FF03 ,  5F031GG10 ,  5F031GG20 ,  5F031KK03 ,  5F031KK06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EE17 ,  5F045EH13 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK21 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06
引用特許：
審査官引用 (7件)
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