特許
J-GLOBAL ID：200903064032214367
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236063
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074777
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 厚膜導電性電極を形成した透光性基板1上の所定の位置に、光硬化型絶縁樹脂を介して半導体素子を配置した後、荷重を加えながら光照射して固定し、電気的導通をとる実装方法にて作成した半導体装置の品質を高める。【構成】 厚膜Au電極2は、スクリーン印刷法にて電極材料の主成分の粒径が半導体チップ8面に形成した電極13の膜厚と同一の専用ペーストを塗布し、レベリング、乾燥した後、高温中で焼成して形成することにより電極2表面に凹凸を設けた構成とする。厚膜Au電極2上に凹凸を形成することにより、実装時に半導体チップ8に過大な荷重をかけなくてもよく、半導体チップ8の損傷や電気的接続の不良を低減した高品質な半導体装置とすることができる。
請求項（抜粋）：
上面に回路導体層と前記回路導体層に接続する厚膜導電性電極を有する透光性回路基板と、前記透光性回路基板の上面に光硬化型絶縁樹脂を介した半導体素子から成り、前記半導体素子の素子面の反対側より加圧して、前記透光性回路基板の所定の位置に前記厚膜導電性電極と前記半導体素子の素子面に形成した電極を当接させた状態で紫外線を照射して光硬化型絶縁樹脂を硬化して半導体素子を固定し、且つ電気的に接続する半導体装置において、前記厚膜導電性電極の電極材料の主成分の粒径が前記半導体素子面に形成した電極の膜厚となるようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/321
, H01L 21/52
, H01L 27/14
, H04N 1/028
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 C
, H01L 27/14 D
