特許
J-GLOBAL ID：200903064035127732
半導体光電変換装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116778
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334206
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 大きな起電圧を得ることができる半導体光電変換装置を提供する。【構成】 単一光電変換素子21は、下部電極11、光電変換素子部10、接続部13および上部電極12を備えており、絶縁膜7上に設けられる。光電変換素子部10は、P型半導体層3、I型半導体層4およびN型半導体層5を有するとともに、その側壁には絶縁性のサイドウォール14、15が形成されている。サイドウォール15上に形成された接続部13は、上部電極12と隣接する光電変換素子の下部電極11とを接続する。【効果】 単一光電変換素子を直列接続することができるとともに、光電変換素子に光を効率的に入射させることができる。
請求項（抜粋）：
複数の単一光電変換素子を備えた半導体光電変換装置において、前記各単一光電変換素子は、平面的に配置されるとともに、直列接続されていること、を特徴とする半導体光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 27/14 C
