特許

J-GLOBAL ID：200903064037905589

導電剤形成用組成物およびパターン形成方法

発明者： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  五十嵐 美和 ,  倉光 庸子 ,  丸山 隆司 ,  矢野 恵子 ,  中村 富雄 ,  清水 茂 ,  斉藤 隆司
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  日東化学工業株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-179754
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月18日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストの失活を防止する。荷電放射線露光時の帯電を防止する。【構成】 化学増幅型レジスト塗布後、110°C以上の温度でベーキングし、その上に(a)スルホン基含有率が芳香環に対して20〜80%のスルホン化ポリアニリン類0.1〜20重量部、(b)溶剤100重量部、(c)アミン類及び/又は四級アンモニウム塩0.01〜10重量部に、(d)(A)スルホン基含有化合物及び又は(B)スルホン基含有重合体0.001〜100重量部を含む導電剤形成用組成物を塗布し、さらに110°C以上の温度でベーキングし、その後荷電放射線露光および現像を行なう方法。上記組成物。

請求項（抜粋）：

(a)スルホン基の含有率が芳香環に対して20〜80%のスルホン化ポリアニリン類0.1〜20重量部、(b)溶剤100重量部、(c)アミン類及び/又は四級アンモニウム塩0.01〜10重量部に(d)下記(A)及び(B)(A)スルホン基を含有する化合物(B)スルホン基を含有する重合体の中から選ばれた少なくとも1種のスルホン基含有成分を0.001〜100重量部含んでなることを特徴とする導電剤形成用組成物。

IPC (10件)：

C08L 79/00 LQZ ,  C08K 5/19 ,  C08K 5/41 ,  C08L 81/06 LRF ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 575

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 導電性組成物、導電体及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-355327   出願人：日東化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316822   出願人：富士通株式会社